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STGF15M65DF2

型号：STGF15M65DF2
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-220FP-3
IGBT类型：沟槽场截止 功率(Pd)：31W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：30A 集电极脉冲电流(Icm)：60A 导通损耗(Eon)：0.09mJ 关断损耗(Eoff)：0.45mJ 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
管理料号：121005534
内地含税价格
1 + : 13.36/个
数量
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IGBT类型：沟槽场截止 功率(Pd)：31W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：30A 集电极脉冲电流(Icm)：60A 导通损耗(Eon)：0.09mJ 关断损耗(Eoff)：0.45mJ 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

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