晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：1.6W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
